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半导体

半导体陶瓷湿敏电阻按照半导体电阻率随湿度变化,可以分为()湿敏半导体陶瓷和正特性湿敏半导体陶瓷。

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半导体的中,()称为费米能级;对本征半导体,费米能级位于(),表示()。费米能级靠近导带,表示(),是()型半导体;费米能级靠近价带,表示(),是()型半导体。

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以下关于P型半导体的描述中,正确的是(  )
A.在本征半导体中掺入+5价杂质原子,即可得到P型半导体B.P型半导体中存在负离子,故带负电荷C.P型半导体中的载流子只有空穴D.P型半导体中空穴的浓度远大于自由电子的浓度
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[单选]关于PN结下列说法正确的是:()。
A.PN结是P型,N型半导体混合制成的
B.PN结是P型,N型半导体相接触形成的
C.PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的
D.PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
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半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

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()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而P型半导体中()浓度高于电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。

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与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()

A、比半导体的大

B、比半导体的小

C、与半导体的相等

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N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

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十年前,甲国生产的半导体占世界半导体的60%,而乙国仅占25%。在这十年中,甲国生产的半导体增加了200%,而乙国生产的半导体增加了500%。这意味着,现在乙国半导体产量在世界总产量中的比重有所上升。( )

A.正确

B.错误

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下列有关半导体点火器的说法中,有误的是:()

A、半导体点火器的点火效应比火花塞要好。

B、半导体点火器是一种利用半导体的热效应来使电容放电起弧的点火装置。

C、半导体点火器的最大优点是所释放的点火能量可以做得很大。

D、在积炭和沾油的情况下,半导体点火器将不能正常工作。

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由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

A、对

B、错

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励磁系统应保证同步发电机端电压调差率()。 A.半导体型±5%,电磁型±5%;B.半导体型±5%,电磁型±10%;C.半导体型±10%,电磁型±5%;D.半导体型±10%,电磁型±10%.
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本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

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有关半导体探测器灵敏度的描述,不正确的是()

A、用硅晶体制成的半导体探测器比相同体积的空气电离室的灵敏度高

B、在钻-60伽玛辐射场中,N型半导体探测器的灵敏度比P型半导体探测器的灵敏度受累积剂量的影响要小

C、照射野的大小会影响半导体探测器的灵敏度

D、环境温度会影响半导体探测器的灵敏度

E、剂量率会影响半导体探测器的灵敏度

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有关半导体剂量仪的叙述,不正确的是()

A、当电离辐射照射半导体探测器时,产生的载流子在电场作用下形成脉冲信号

B、根据掺杂情况不同,有N型半导体探测器和P型半导体探测器

C、相同体积的半导体探测器,要比空气电离室的灵敏度低,这是在放射治疗中普遍使用电离室的原因

D、高原辐射会使半导体探测器晶格发生畸变,导致探头受损,灵敏度下降

E、环境温度会影响半导体探测器的灵敏度

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半导体中掺加的杂质不同,一般可分为()半导体和()半导体两类

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吸收剂量测量的常用现场应用方法为()

A、电离室、热释光、半导体和量热法等

B、电离室、半导体、量热法和化学剂量计法等

C、电离室、半导体、量热法和胶片法等

D、半导体、热释光、胶片法和化学剂量计等

E、电离室、半导体、热释光和胶片法等

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多媒体中的“媒体”有两重含义,一是指存储信息的实体;二是指表达与传递信息的载体。()是存储信息的实体;()是表达与传递信息的载体。

A.文字、图形、图像、声音B.视频、磁带、半导体存储器C.文字、图形、磁带、半导体存储器D.磁盘、光盘、磁带、半导体存储器A.文字、图形、图像、声音B.声卡、磁带、半导体存储器C.文字、图形、磁带、半导体存储器D.磁盘、光盘、磁带、半导体存储器

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同轴式高压电缆由内向外排列正确的是

  • A.心线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层
  • B.心线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层
  • C.心线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层
  • D.心线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层
  • E.心线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层
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