易搜题 > 学历教育 > 专科 > 问题详情
问题详情

下列说法不正确的是()。

A.单体多字存储器能提高存储器频宽

B.多体存储器低位交叉编址能提高存储器频宽

C.多体存储器高位交叉编址便于扩大存储器容量

D.多体存储器高位交叉编址能提高存储器频宽

相关标签: 存储器  

未找到的试题在搜索页框底部可快速提交,在会员中心"提交的题"查看可解决状态。 收藏该题
查看答案

相关问题推荐

  • 下列说法不正确的是()。

    A.单体多字存储器能提高存储器频宽

    B.多体存储器低位交叉编址能提高存储器频宽

    C.多体存储器高位交叉编址便于扩大存储器容量

    D.多体存储器高位交叉编址能提高存储器频宽

  • 半导体存储器有两种主要类型,即:()

    A、随机存储器RAM和只读存储器ROM

    B、晶体管存储器和集成电路存储器

    C、集成电路存储器和只读存储器

    D、随机存储器和集成电路存储器

联系客服 会员中心
TOP